Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Реферативна база даних (1)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>A=Antonova I$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 3
Представлено документи з 1 до 3
1.

Fedorov V. E. 
Transition Metal Trichalcogenides as Novel Layered Nano Species [Електронний ресурс] / V. E. Fedorov, S. B. Artemkina, E. D. Grayfer, Yu. V. Mironov, A. I. Romanenko, I. V. Antonova, M. V. Medvedev // Proceedings of the International Conference Nanomaterials: Applications and Properties. - 2013. - Vol. 2, no. 1. - С. 01NTF34-01NTF34. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/princon_2013_2_1_36
Попередній перегляд:   Завантажити - 231.532 Kb    Зміст випуску     Цитування
2.

Misiuk A. 
Hydrogen gettering in annealed oxygen-implanted silicon [Електронний ресурс] / A. Misiuk, A. Barcz, A. Ulyashin, I. V. Antonova, M. Prujszczyk // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2010. - Vol. 13, № 2. - С. 161-165. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2010_13_2_12
Hydrogen gettering by buried layers formed in oxygen-implanted silicon (Si:O prepared by <$E roman O sub 2 sup +> implantation at the energy 200 keV and doses 10<^>14 and 10<^>17 cm<^>-2) was investigated after annealing of Si:O at temperatures up to 1570 K, including also processing under enhanced hydrostatic pressure, up to 1,2 GPa. Depending on processing conditions, buried layers containing SiO2-x clusters and/or precipitates were formed. To produce hydrogen-rich Si:O,H structures, Si:O samples were subsequently treated in RF hydrogen plasma. As determined using secondary ion mass spectrometry, hydrogen was accumulated in sub-surface region as well as within implantation-disturbed areas. It has been found that hydrogen was still present in Si:O,H structures formed by oxygen implantation with the dose <$E D~=~10 sup 7~roman cm sup -2> even after post-implantation annealing up to 873 K. It is concluded that hydrogen accumulation within the disturbed areas in Si:O as well as in SOI structures can be used for recognition of defects.
Попередній перегляд:   Завантажити - 447.585 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
3.

Antonova I. V. 
Prepropriate analysis of time series by methods of fractal analysis and phase trajectories [Електронний ресурс] / I. V. Antonova, N. A. Chikina // Вісник Національного технічного університету "ХПІ". Серія : Математичне моделювання в техніці та технологіях. - 2018. - № 3. - С. 3-8. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/vcpimm_2018_3_3
Попередній перегляд:   Завантажити - 207.903 Kb    Зміст випуску     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського